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2N6059

2N6059 CDIL

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAF00C537A2D40C7&compId=2N6051_52_58_59.pdf?ci_sign=0c918a8fe65ead4f10e557ab53cbca36ddd7d172 Hersteller: CDIL
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...18000
Collector current: 12A
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details 2N6059 CDIL

Description: MULTICOMP PRO - 2N6059 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 150 W, 12 A, TO-3, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-3, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 12A, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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2N6059 2N6059 Hersteller : CDIL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABAF00C537A2D40C7&compId=2N6051_52_58_59.pdf?ci_sign=0c918a8fe65ead4f10e557ab53cbca36ddd7d172 Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...18000
Collector current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N6059 2N6059 Hersteller : MULTICOMP PRO 3033459.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N6059 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 150 W, 12 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Produktcode: 184091
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132304-lds-0307.pdf 2N6059.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3P
fT: 4 MHz
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 12 A
ZCODE: THT
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2N6059 2N6059 Hersteller : Microchip Technology 2n6058-59.pdf Trans Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N6059 2N6059 Hersteller : Microchip Technology 132304-lds-0307.pdf Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Packaging: Bulk
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2N6059 2N6059 Hersteller : STMicroelectronics 2N6059.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 150 W
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2N6059 Hersteller : Microchip Technology 2N6058_2N6059_LDS_0307_MIL_PRF_19500_502-3499846.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V 12A 150W NPN Power BJT THT
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2N6059 2N6059 Hersteller : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00001158-1204529.pdf Darlington Transistors NPN Darlington LTB 9-2009
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2N6059 2N6059 Hersteller : TT Electronics - IoT Solutions SEMES09901_1-2565313.pdf Bipolar Transistors - BJT
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