2N6109G ON Semiconductor
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Technische Details 2N6109G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 7A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 40 W.
Weitere Produktangebote 2N6109G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 2N6109G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2N6109G - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, 50V, TO-220-3tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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2N6109G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N6109G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 7A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 40 W |
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2N6109G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 7A 50V 40W PNP |
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