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2N6125 NTE Electronics, Inc.

2N6125.pdf Hersteller: NTE Electronics, Inc.
High Power PNP Transistor
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Technische Details 2N6125 NTE Electronics, Inc.

Description: TRANS PNP 60V 4A TO220, Packaging: Bag, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V, Frequency - Transition: 2.5MHz, Supplier Device Package: TO-220, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 40 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N6125 2N6125 Hersteller : NTE Electronics, Inc 2N6125.pdf Description: TRANS PNP 60V 4A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
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