2N6193QFN Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
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Technische Details 2N6193QFN Microchip Technology
Description: POWER BJT, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C, Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6193QFN | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 100V 5A 1W Power BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N6193QFN |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 100V 5A 1W Power BJT
Bipolar Transistors - BJT 100V 5A 1W Power BJT
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH