2N6277 Microchip Technology
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 561.57 EUR |
| 5+ | 515.6 EUR |
| 10+ | 481.03 EUR |
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Technische Details 2N6277 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 150V 50A TO-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 10A, 50A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-3, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 250 W.
Weitere Produktangebote 2N6277 nach Preis ab 162.76 EUR bis 175.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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| 2N6277 | Hersteller : Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT 150V 50A NPN Power BJT THT |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N6277 | Hersteller : MOT |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6277 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 150V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N6277 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 150V 50A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 10A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 250 W |
Produkt ist nicht verfügbar |