2N6300 Microchip Technology
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 137.43 EUR |
| 5+ | 133.45 EUR |
| 10+ | 128.58 EUR |
| 25+ | 123.84 EUR |
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Technische Details 2N6300 Microchip Technology
Description: TRANS NPN DARL 60V 8A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 75 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N6300 | Microchip Technology |
 Description: TRANS NPN DARL 60V 8A TO66Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 75 W |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N6300 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 60V 8A 75W NPN Power BJT THT |
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| 2N6300 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN DARL 60V 8A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
Description: TRANS NPN DARL 60V 8A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 60V 8A 75W NPN Power BJT THT
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