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2N6338G onsemi


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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25A 100V 200W NPN
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Technische Details 2N6338G onsemi

Description: TRANS NPN 100V 25A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 200 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N6338G 2N6338G ON Semiconductor 2n6338-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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