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2N6387G

2N6387G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details 2N6387G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V, Supplier Device Package: TO-220, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N6387G 2N6387G ON Semiconductor 2n6387-d.pdf Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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2N6387G 2N6387G onsemi 2N6387-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 10A 60V Bipolar Power NPN
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2N6387G 2N6387G onsemi 2n6387-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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