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2N6423 MOTOROLA


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Hersteller: MOTOROLA

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Technische Details 2N6423 MOTOROLA

Description: TRANS PNP 300V 2A TO66, Power - Max: 35 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-66, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 750mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 750mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Packaging: Box.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
2N6423 2N6423 Solid State Inc. 2N3583-ssi.pdf Description: TRANS PNP 300V 2A TO66
Power - Max: 35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-66
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 750mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 750mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Box
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2N6423 Microchip Technology 2N3583-ssi.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N6423 Microchip Technology / Atmel 2N3583-ssi.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Hersteller: Solid State Inc.
Description: TRANS PNP 300V 2A TO66
Power - Max: 35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-66
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 750mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 750mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
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