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2N6491G

2N6491G ON Semiconductor

2n6487-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details 2N6491G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V, Frequency - Transition: 5MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.8 W.

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2N6491G 2N6491G Hersteller : ON Semiconductor 2n6487-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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2N6491G 2N6491G Hersteller : ONSEMI 2n6487-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Current gain: 20...150
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 5MHz
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 310 Stücke:
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Anzahl Preis
49+1.49 EUR
69+1.04 EUR
80+0.9 EUR
109+0.66 EUR
118+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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2N6491G 2N6491G Hersteller : ONSEMI 2n6487-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Current gain: 20...150
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 5MHz
Case: TO220AB
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500+0.62 EUR
1000+0.47 EUR
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2N6491G 2N6491G Hersteller : ON Semiconductor 2n6487-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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2N6491G 2N6491G Hersteller : onsemi 2N6487-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 15A 80V 75W PNP
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2N6491G 2N6491G Hersteller : onsemi 2n6487-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.8 W
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2N6491G Hersteller : ON-Semicoductor 2n6487-d.pdf Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB 2N6491G T2N6491 ONS
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2N6491G
Produktcode: 154311
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