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2N6491G

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Produktcode: 154311
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Technische Details 2N6491G

  • BIPOLAR TRANSISTOR
  • Transistor Polarity:PNP
  • Max Voltage Vce Sat:20V
  • Min Hfe:150
  • Case Style:3-TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N6491G 2N6491G ON Semiconductor 2n6487-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1078 Stücke:
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191+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
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2N6491G 2N6491G ON Semiconductor 2n6487-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.93 EUR
262+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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2N6491G 2N6491G ON Semiconductor 2n6487-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
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183+0.95 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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2N6491G 2N6491G ON Semiconductor 2n6487-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.26 EUR
155+1.08 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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2N6491G 2N6491G ON Semiconductor 2n6487-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.26 EUR
155+1.11 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.76 EUR
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2N6491G 2N6491G ON Semiconductor 2n6487-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 231 Stücke:
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2N6491G 2N6491G ON-Semiconductor T2N6491_ONS_0001.pdf description Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB 2N6491G T2N6491 ONS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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50+2.12 EUR
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2N6491G 2N6491G onsemi 2N6487-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT 15A 80V 75W PNP
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2+2.81 EUR
10+1.32 EUR
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2N6491G 2N6491G onsemi 2N6487-D.PDF description Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
50+2.17 EUR
100+1.95 EUR
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2N6491G 2N6491G ON Semiconductor 2n6487-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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2N6491G ON Semiconductor 2N6487-D.PDF description Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 15 А, ft, МГц = 5, hFE = 5 @ Ic = 15, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 5 А, 15 А, Р, Вт = 1,8, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 20 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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2N6491G
Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 1078 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 1200 Stücke:
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2N6491G
Hersteller: ON Semiconductor
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Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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2N6491G description T2N6491_ONS_0001.pdf
2N6491G
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB 2N6491G T2N6491 ONS
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2N6491G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 15A 80V 75W PNP
auf Bestellung 1246 Stücke:
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2N6491G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 585 Stücke:
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100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
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2N6491G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 15 А, ft, МГц = 5, hFE = 5 @ Ic = 15, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 5 А, 15 А, Р, Вт = 1,8, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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