2N6517 PBFREE Central Semiconductor
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Technische Details 2N6517 PBFREE Central Semiconductor
Description: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S, Packaging: Box, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 625 mW.
Weitere Produktangebote 2N6517 PBFREE nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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2N6517 PBFREE | Hersteller : Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . |
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2N6517 PBFREE | Hersteller : Central Semiconductor Corp |
Description: 350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 625 mW |
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