2N6517CTA ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8265+ | 0.066 EUR |
| 10000+ | 0.058 EUR |
| 100000+ | 0.047 EUR |
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Technische Details 2N6517CTA ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 400V 0.5A TO-92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Tape & Box (TB).
Weitere Produktangebote 2N6517CTA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2N6517CTA | ON Semiconductor / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N6517CTA |
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH


