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2N6517TA

2N6517TA ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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Technische Details 2N6517TA ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N6517TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N6517TA 2N6517TA onsemi 2N6517-D.PDF Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
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2N6517TA 2N6517TA ON Semiconductor 2n6517d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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3000+0.096 EUR
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Mindestbestellmenge: 790 Stücke
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2N6517TA 2N6517TA ON Semiconductor 2n6517d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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605+0.27 EUR
790+0.2 EUR
807+0.19 EUR
1063+0.14 EUR
1500+0.093 EUR
3000+0.081 EUR
6000+0.071 EUR
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2N6517TA 2N6517TA onsemi 2N6517-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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2N6517TA 2N6517TA onsemi 2N6517-D.PDF Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
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32+0.67 EUR
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2N6517TA 2N6517TA ONSEMI ONSM-S-A0013339723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N6517TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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1108+0.19 EUR
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2N6517TA 2N6517TA ONSEMI 2N6517-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Current gain: 30...200
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 40...200MHz
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2N6517TA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
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2N6517TA
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AnzahlPrivatkunde
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807+0.21 EUR
1063+0.17 EUR
1500+0.11 EUR
3000+0.096 EUR
6000+0.083 EUR
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2N6517TA
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Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
307+0.58 EUR
497+0.35 EUR
605+0.27 EUR
790+0.2 EUR
807+0.19 EUR
1063+0.14 EUR
1500+0.093 EUR
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6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
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2N6517TA
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Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
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2N6517TA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4000 Stücke:
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52+0.4 EUR
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2N6517TA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6517TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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516+0.45 EUR
827+0.26 EUR
1108+0.19 EUR
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2N6517TA
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Current gain: 30...200
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 40...200MHz
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