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Technische Details 2N697 Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5AA, Part Status: Active, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 600 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 2N697 | Hersteller : MOT/ON |
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2N697 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 40V 600mW 3-Pin TO-5 Bag |
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2N697 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 40V 600mW 3-Pin TO-5 Bag |
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2N697 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 40V 600mW 3-Pin TO-5 Bag |
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2N697 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Obsolete Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V |
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| 2N697 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW |
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| 2N697 | Hersteller : onsemi |
onsemi |
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