2N7000-D26Z ON Semiconductor
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Technische Details 2N7000-D26Z ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.2A, TO-92, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote 2N7000-D26Z nach Preis ab 0.094 EUR bis 0.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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2N7000-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
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2N7000-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
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2N7000-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
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2N7000-D26Z | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
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2N7000-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 6330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-D26Z | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N7000-D26Z | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: reel; tape |
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2N7000-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
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2N7000-D26Z | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
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2N7000-D26Z | Hersteller : onsemi |
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA |
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2N7000-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
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2N7000-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
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| 2N7000-D26Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.2A, TO-92 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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