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2N7000TA

2N7000TA ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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Technische Details 2N7000TA ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, Verlustleistung: 400mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N7000TA 2N7000TA ON Semiconductor 2n7000ta-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N7000TA 2N7000TA onsemi nds7002a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7000TA 2N7000TA ON Semiconductor 2n7000ta-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N7000TA 2N7000TA ONSEMI 2N7000TA.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
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164+0.44 EUR
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2N7000TA 2N7000TA onsemi NDS7002A-D.PDF MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig
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2N7000TA 2N7000TA onsemi nds7002a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7000TA 2N7000TA ONSEMI ONSM-S-A0007309853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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2N7000TA 2n7000ta-d.pdf
2N7000TA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2000+0.091 EUR
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24000+0.079 EUR
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2N7000TA nds7002a-d.pdf
2N7000TA
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
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Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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Hersteller: onsemi
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4+0.83 EUR
10+0.51 EUR
100+0.33 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7000TA ONSM-S-A0007309853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7000TA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 3148 Stücke:
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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