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2N7002-G

2N7002-G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
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Technische Details 2N7002-G ON Semiconductor

Description: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002-G 2N7002-G Microchip Technology 52n7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-G 2N7002-G Microchip Technology 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002-G 2N7002-G onsemi 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf MOSFETs FET 60V 5.0 OHM
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2N7002-G 2N7002-G Microchip Technology 52n7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-G 2N7002-G Microchip Technology 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf MOSFETs 60V 7.5Ohm
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2N7002-G 2N7002-G Microchip Technology 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002-G 2N7002-G MICROCHIP MCHP-S-A0006189945-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
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2N7002-G Comchip Technology 102n7002-grevb201450.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002/G PHILIPS SOT-23
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2N7002-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-G 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf
2N7002-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
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Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002-G 2N7002-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005797A.pdf
2N7002-G
Hersteller: onsemi
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM
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2N7002-G
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
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2N7002-G MCHP-S-A0006189945-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id: 115mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 4423 Stücke:
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Hersteller: Comchip Technology
Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SOT-23
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