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2N7002A-7

2N7002A-7 DIODES INCORPORATED

ds31360.pdf Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
511+0.14 EUR
596+0.12 EUR
875+0.082 EUR
1025+0.07 EUR
1409+0.051 EUR
1578+0.045 EUR
1673+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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Technische Details 2N7002A-7 DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 370mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N7002A-7 2N7002A-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31360.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2020 Stücke:
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Anzahl Preis
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511+0.14 EUR
596+0.12 EUR
875+0.082 EUR
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2N7002A-7 2N7002A-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31360.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
auf Bestellung 2575 Stücke:
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108+0.16 EUR
194+0.091 EUR
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2N7002A-7 2N7002A-7 Hersteller : DIODES INC. 4553129.pdf Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002A-7 2N7002A-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31360.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
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2N7002A-7 2N7002A-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31360.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002A-7 2N7002A-7 Hersteller : DIODES INC. 4553129.pdf Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2N7002A-7 2N7002A-7 Hersteller : Diodes Inc ds31360.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002A-7 2N7002A-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31360.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002A-7 2N7002A-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31360.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002A-7 2N7002A-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31360.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002A-7 Hersteller : DIODES/ZETEX ds31360.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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2N7002A-7 2N7002A-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31360.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
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2N7002A-7 2N7002A-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31360.pdf MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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