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2N7002BKV,115

2N7002BKV,115 Nexperia

2n7002bkv.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
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Technische Details 2N7002BKV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 525mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. 2N7002BKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
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Mindestbestellmenge: 460
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8249A55023E0C4&compId=2N7002BKV.pdf?ci_sign=c1af1200d721d5d9a594a0625323088c38505a42 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.6nC
Technology: Trench
Pulsed drain current: 1.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
129+0.56 EUR
179+0.40 EUR
211+0.34 EUR
268+0.27 EUR
319+0.22 EUR
379+0.19 EUR
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8249A55023E0C4&compId=2N7002BKV.pdf?ci_sign=c1af1200d721d5d9a594a0625323088c38505a42 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.6nC
Technology: Trench
Pulsed drain current: 1.2A
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : Nexperia 2N7002BKV.pdf MOSFETs 60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
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2000+0.14 EUR
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. 2N7002BKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 29318 Stücke:
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Anzahl Preis
28+0.65 EUR
38+0.47 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : NEXPERIA 2N7002BKV.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4000 Stücke:
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : NEXPERIA 2N7002BKV.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : NEXPERIA 2N7002BKV.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : NEXPERIA 21149129833345392n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Hersteller : Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
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