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2N7002BKV,115

2N7002BKV,115 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
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Technische Details 2N7002BKV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 525mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia USA Inc. 2N7002BKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 NEXPERIA PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 NEXPERIA 2N7002BKV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 0.6nC
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
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239+0.36 EUR
334+0.25 EUR
439+0.19 EUR
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
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625+0.27 EUR
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia 2n7002bkv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
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397+0.43 EUR
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia USA Inc. 2N7002BKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 Nexperia 2N7002BKV.pdf MOSFETs 2N7002BKV/SOT666/SOT6
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 NEXPERIA PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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210+1.19 EUR
342+0.68 EUR
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2N7002BKV,115 2N7002BKV,115 NEXPERIA PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4233 Stücke:
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210+1.19 EUR
342+0.68 EUR
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2N7002BKV,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
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2N7002BKV,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
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2N7002BKV,115 PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002BKV,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4000 Stücke:
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2N7002BKV,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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2N7002BKV,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7002BKV,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 0.6nC
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 4000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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2N7002BKV,115 2n7002bkv.pdf
2N7002BKV,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 961 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
406+0.43 EUR
625+0.27 EUR
644+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 406 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115 2n7002bkv.pdf
2N7002BKV,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 961 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
252+0.7 EUR
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625+0.25 EUR
644+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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2N7002BKV,115 2N7002BKV.pdf
2N7002BKV,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
auf Bestellung 11642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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2N7002BKV,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs 2N7002BKV/SOT666/SOT6
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4000+0.18 EUR
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2N7002BKV,115 PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002BKV,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4233 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
210+1.19 EUR
342+0.68 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002BKV,115 PHGLS21382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002BKV,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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210+1.19 EUR
342+0.68 EUR
538+0.39 EUR
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