2N7002BKVL Nexperia
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Technische Details 2N7002BKVL Nexperia
Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 370mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
Weitere Produktangebote 2N7002BKVL nach Preis ab 0.033 EUR bis 0.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2N7002BKVL | Nexperia |
 MOSFETs 2N7002BK/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 7043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002BKVL | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 11242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002BKVL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 370mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002BKVL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 370mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002BKVL | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 9920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002BKVL |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
MOSFETs 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 7043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.35 EUR |
| 23+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.096 EUR |
| 1000+ | 0.094 EUR |
| 2500+ | 0.082 EUR |
| 5000+ | 0.08 EUR |
| 2N7002BKVL |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 11242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 523+ | 0.35 EUR |
| 896+ | 0.19 EUR |
| 1202+ | 0.14 EUR |
| 1386+ | 0.11 EUR |
| 2611+ | 0.058 EUR |
| 10000+ | 0.033 EUR |
| 2N7002BKVL |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 553+ | 0.45 EUR |
| 1262+ | 0.18 EUR |
| 1456+ | 0.14 EUR |
| 2017+ | 0.11 EUR |
| 5000+ | 0.077 EUR |
| 2N7002BKVL |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-236AB
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usEccn: EAR99
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-236AB
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usEccn: EAR99
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auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 553+ | 0.45 EUR |
| 1262+ | 0.18 EUR |
| 1456+ | 0.14 EUR |
| 2017+ | 0.11 EUR |
| 5000+ | 0.077 EUR |
| 2N7002BKVL |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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