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2N7002BKVL

2N7002BKVL Nexperia

2n7002bk.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details 2N7002BKVL Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 370mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002BKVL 2N7002BKVL NEXPERIA 2N7002BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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385+0.23 EUR
500+0.17 EUR
589+0.14 EUR
875+0.098 EUR
1029+0.082 EUR
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2N7002BKVL 2N7002BKVL Nexperia 2n7002bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12992 Stücke:
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509+0.35 EUR
871+0.19 EUR
1170+0.14 EUR
1348+0.12 EUR
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10000+0.035 EUR
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2N7002BKVL 2N7002BKVL Nexperia USA Inc. 2N7002BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8887 Stücke:
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139+0.15 EUR
160+0.13 EUR
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2N7002BKVL 2N7002BKVL Nexperia 2N7002BK.pdf MOSFETs 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
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2N7002BKVL 2N7002BKVL NEXPERIA NEXP-S-A0003107873-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 9425 Stücke:
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410+0.61 EUR
685+0.33 EUR
1051+0.2 EUR
1835+0.12 EUR
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2N7002BKVL 2N7002BKVL NEXPERIA NEXP-S-A0003107873-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
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2N7002BKVL 2N7002BK.pdf
2N7002BKVL
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
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Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 9950 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
385+0.23 EUR
500+0.17 EUR
589+0.14 EUR
875+0.098 EUR
1029+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
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2N7002BKVL
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12992 Stücke:
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2N7002BKVL
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
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Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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2N7002BKVL
Hersteller: Nexperia
MOSFETs 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
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2N7002BKVL NEXP-S-A0003107873-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002BKVL
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
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2N7002BKVL
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 350mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
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