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2N7002E-7-F Diodes Zetex


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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002E-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 370mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2N7002E, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
2N7002E-7-F 2N7002E-7-F Diodes Zetex ds30376.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002E-7-F 2N7002E-7-F Diodes Zetex ds30376.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002E-7-F 2N7002E-7-F Diodes Incorporated ds30376.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002E-7-F 2N7002E-7-F Diodes Zetex ds30376.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002E-7-F 2N7002E-7-F DIODES INCORPORATED 2N7002E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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2N7002E-7-F 2N7002E-7-F Diodes Incorporated ds30376.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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56+0.32 EUR
92+0.19 EUR
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500+0.087 EUR
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2N7002E-7-F 2N7002E-7-F Diodes Incorporated ds30376.pdf MOSFETs N-Channel
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12+0.24 EUR
100+0.15 EUR
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3000+0.07 EUR
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2N7002E-7-F 2N7002E-7-F DIODES INC. DIODS20203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1707 Stücke:
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2N7002E-7-F 2N7002E-7-F Diodes Zetex ds30376.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002E-7-F 2N7002E-7-F Diodes Zetex ds30376.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002E-7-F 2N7002E-7-F Diodes Zetex ds30376.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002E-7-F 2N7002E-7-F Diodes Zetex ds30376.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002E-7-F 2N7002E-7-F Diodes Zetex ds30376.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002E-7-F DIODES INC. DIODS20203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.25A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1707 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.054 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.068 EUR
6000+0.057 EUR
9000+0.048 EUR
24000+0.042 EUR
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 4238 Stücke:
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Channel
auf Bestellung 742 Stücke:
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AnzahlPreis
7+0.41 EUR
12+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 513 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 513 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002E-7-F ds30376.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.25A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1707 Stücke:
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