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Technische Details 2N7002E-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - 2N7002E-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2N7002E-T1-E3 nach Preis ab 0.10 EUR bis 1.53 EUR
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V 0.24A |
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V |
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - 2N7002E-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| 2N7002E-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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| 2N7002E-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
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| 2N7002E-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
2006 |
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| 2N7002E-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SOT23 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N7002E-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R |
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