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2N7002H-7

2N7002H-7 Diodes Zetex

2n7002h.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002H-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - 2N7002H-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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2N7002H-7 2N7002H-7 Hersteller : Diodes Zetex 2n7002h.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H-7 2N7002H-7 Hersteller : Diodes Incorporated 2N7002H.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
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3000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
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2N7002H-7 2N7002H-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED 2N7002H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
625+0.11 EUR
973+0.07 EUR
1767+0.04 EUR
1866+0.04 EUR
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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2N7002H-7 2N7002H-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED 2N7002H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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2N7002H-7 2N7002H-7 Hersteller : Diodes Incorporated 2N7002H.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
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500+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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2N7002H-7 2N7002H-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691625_1-2543330.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA
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18+0.16 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
9000+0.04 EUR
24000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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2N7002H-7 2N7002H-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009691625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002H-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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2N7002H-7 2N7002H-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009691625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002H-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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2N7002H-7 2N7002H-7 Hersteller : Diodes Zetex 2n7002h.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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