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2N7002H6327XTSA2

2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies

2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6 Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
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3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
75000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1600+0.09 EUR
1774+0.08 EUR
1989+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
15000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1600
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18963 Stücke:
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1153+0.13 EUR
1240+0.12 EUR
1341+0.10 EUR
1458+0.09 EUR
1600+0.08 EUR
1774+0.07 EUR
1989+0.06 EUR
3000+0.05 EUR
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES 2N7002H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
374+0.19 EUR
562+0.13 EUR
719+0.10 EUR
851+0.08 EUR
1007+0.07 EUR
1337+0.05 EUR
1413+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 374
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES 2N7002H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9524 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
374+0.19 EUR
562+0.13 EUR
719+0.10 EUR
851+0.08 EUR
1007+0.07 EUR
1337+0.05 EUR
1413+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 374
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17850 Stücke:
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1127+0.19 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1127
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6 Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 114644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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84+0.21 EUR
124+0.14 EUR
203+0.09 EUR
500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_2N7002_DS_v02_04_en-1225920.pdf MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
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10+0.29 EUR
21+0.14 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.05 EUR
9000+0.05 EUR
24000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : INFINEON 3690159.pdf Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 114212 Stücke:
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : INFINEON 3690159.pdf Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 114212 Stücke:
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6 N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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500+0.18 EUR
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2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6 N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6 N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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