2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies
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Technische Details 2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
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2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 |
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2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
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2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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| 2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : Infineon |
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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| 2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : Infineon |
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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| 2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : Infineon |
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002H6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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