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2N7002H6327XTSA2

2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies

2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6 Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
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3000+0.06 EUR
6000+0.055 EUR
9000+0.048 EUR
15000+0.047 EUR
21000+0.044 EUR
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5C2CA4584F10B&compId=2N7002H6327XTSA2.pdf?ci_sign=329548fe42e8d9dcb0858f8ddae70fe1ac08d7bb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
500+0.14 EUR
556+0.13 EUR
625+0.11 EUR
851+0.084 EUR
975+0.073 EUR
1337+0.053 EUR
1413+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5C2CA4584F10B&compId=2N7002H6327XTSA2.pdf?ci_sign=329548fe42e8d9dcb0858f8ddae70fe1ac08d7bb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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556+0.13 EUR
625+0.11 EUR
851+0.084 EUR
975+0.073 EUR
1337+0.053 EUR
1413+0.051 EUR
1471+0.049 EUR
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_2N7002_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
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13+0.23 EUR
23+0.12 EUR
100+0.09 EUR
500+0.083 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.055 EUR
9000+0.042 EUR
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6 Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 75802 Stücke:
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77+0.23 EUR
141+0.12 EUR
194+0.091 EUR
500+0.082 EUR
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : INFINEON 3690159.pdf Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 88462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : INFINEON 3690159.pdf Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 88462 Stücke:
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6 N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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500+0.18 EUR
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2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6 N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Anzahl Preis
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6 N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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