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2N7002H6327XTSA2

2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6 Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Infineon info-t2n7002h.pdf N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Infineon info-t2n7002h.pdf N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Infineon info-t2n7002h.pdf N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES 2N7002H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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603+0.12 EUR
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1341+0.053 EUR
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6 Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
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82+0.22 EUR
131+0.13 EUR
500+0.098 EUR
1000+0.087 EUR
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon_2N7002_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
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10+0.3 EUR
100+0.19 EUR
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1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.086 EUR
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 INFINEON 3690159.pdf Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 15957 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 INFINEON 3690159.pdf Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 15957 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 241 Stücke
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2N7002H6327XTSA2 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf
2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12890 Stücke:
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4099+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 4099 Stücke
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2N7002H6327XTSA2 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf
2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
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3969+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3969 Stücke
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2N7002H6327XTSA2 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf
2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18919 Stücke:
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12346+0.044 EUR
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2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 29748 Stücke:
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3237+0.045 EUR
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2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5753 Stücke:
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2850+0.051 EUR
2942+0.049 EUR
5000+0.047 EUR
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2N7002H6327XTSA2 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf
2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002H6327XTSA2 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf
2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
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AnzahlPreis
3000+0.058 EUR
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2N7002H6327XTSA2 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf
2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002H6327XTSA2 Infineon-2N7002-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304319bc939a0119c2a9461e79e6
2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002H6327XTSA2 info-t2n7002h.pdf
2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2910 Stücke
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2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2.pdf
2N7002H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
455+0.16 EUR
603+0.12 EUR
810+0.088 EUR
915+0.078 EUR
1200+0.06 EUR
1341+0.053 EUR
3000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 3722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
50+0.35 EUR
82+0.22 EUR
131+0.13 EUR
500+0.098 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
auf Bestellung 59551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
6+0.51 EUR
10+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002H6327XTSA2 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf
2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002H6327XTSA2 3690159.pdf
2N7002H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 15957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2N7002H6327XTSA2 3690159.pdf
2N7002H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2N7002H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 15957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N7002H6327XTSA2 2n7002_rev2.4.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304319bc939a0119c2a9461.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf
2N7002H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH