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2N7002HSX

2N7002HSX Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details 2N7002HSX Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 320mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 420mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 420mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002HSX 2N7002HSX Nexperia 2n7002hs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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2N7002HSX 2N7002HSX Nexperia 2N7002HS.pdf MOSFETs 2N7002HS/SOT363/SC-88
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2N7002HSX NXP/Nexperia/We-En 2N7002HS.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 320 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 34 @ 10, Qg, нКл = 0,5, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 0,42, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Очікується: 100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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