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2N7002HWX

2N7002HWX Nexperia

2n7002hw.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details 2N7002HWX Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002HWX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 260mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 260mW, Bauform - Transistor: SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002HWX 2N7002HWX Nexperia USA Inc. 2N7002HW.pdf Description: 2N7002HW/SOT323/SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
76+0.27 EUR
122+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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2N7002HWX 2N7002HWX Nexperia 2N7002HW.pdf MOSFETs 2N7002HW/SOT323/SC-70
auf Bestellung 11626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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11+0.33 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
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2N7002HWX 2N7002HWX NEXPERIA 3669738.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002HWX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3190 Stücke:
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337+0.74 EUR
562+0.42 EUR
878+0.25 EUR
1191+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 337 Stücke
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2N7002HWX 2N7002HWX NEXPERIA 3669738.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002HWX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 260mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3190 Stücke:
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500+0.74 EUR
562+0.42 EUR
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2N7002HWX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: 2N7002HW/SOT323/SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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2N7002HWX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002HWX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002HWX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 310mA
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 260mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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