2N7002KPW-AQ

2N7002KPW-AQ Diotec Semiconductor


2n7002kpw.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, SOT-323, 60V, 0.31A, 150C, N, AEC-Q101
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Technische Details 2N7002KPW-AQ Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC - 2N7002KPW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 275mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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2N7002KPW-AQ 2N7002KPW-AQ Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7002kpw.pdf Description: MOSFET, SOT-323, 60V, 0.31A, 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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2N7002KPW-AQ 2N7002KPW-AQ Hersteller : DIOTEC 2n7002kpw.pdf Description: DIOTEC - 2N7002KPW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
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2N7002KPW-AQ 2N7002KPW-AQ Hersteller : DIOTEC 2n7002kpw.pdf Description: DIOTEC - 2N7002KPW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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2N7002KPW-AQ Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7002kpw.pdf MOSFET, SOT-323, N, 60V, 0.31A, 1.6
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2N7002KPW-AQ 2N7002KPW-AQ Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7002kpw.pdf N-Channel Enhancement Mode Fet Automotive AEC-Q101
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2N7002KPW-AQ 2N7002KPW-AQ Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7002kpw.pdf N-Channel Enhancement Mode Fet Automotive AEC-Q101
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2N7002KPW-AQ 2N7002KPW-AQ Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95B03CBD3B4A40D6&compId=2n7002kpw.pdf?ci_sign=a8c4c1bb4704362c80142531161ebec1ab786a59 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.275W; ESD
Application: automotive industry
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.275W
Drain current: 0.31A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance:
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N7002KPW-AQ 2N7002KPW-AQ Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7002kpw.pdf Description: MOSFET, SOT-323, 60V, 0.31A, 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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2N7002KPW-AQ 2N7002KPW-AQ Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95B03CBD3B4A40D6&compId=2n7002kpw.pdf?ci_sign=a8c4c1bb4704362c80142531161ebec1ab786a59 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.275W; ESD
Application: automotive industry
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.275W
Drain current: 0.31A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance:
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
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