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2N7002KT1G

2N7002KT1G ON Semiconductor

2n7002k-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002KT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V.

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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : onsemi 2n7002k-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ONSEMI 2N7002K.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ONSEMI 2N7002K.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : onsemi 2N7002K_D-2309762.pdf MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2.5Ohms
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : onsemi 2n7002k-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ONSEMI 2354033.pdf Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ONSEMI 2354033.pdf Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
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Verlustleistung: 420mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002KT1G Hersteller : ON-Semicoductor 2n7002k-d.pdf N-MOSFET 60V 0.38A 2N7002KT1GE3 T2N7002kt1ge3
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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2N7002KT1G Hersteller : ON-Semicoductor 2n7002k-d.pdf N-MOSFET 60V 0.38A 2N7002KT1GE3 T2N7002kt1ge3
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 320 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5; Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
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10+ 1.63 EUR
100+ 1.44 EUR