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2N7002KT1G

2N7002KT1G ON Semiconductor

2n7002k-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002KT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : onsemi 2n7002k-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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1621+0.089 EUR
1989+0.07 EUR
2326+0.058 EUR
3000+0.051 EUR
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15000+0.039 EUR
30000+0.033 EUR
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E544751EA760D2&compId=2N7002K.PDF?ci_sign=9f984722eb7170f70bb3a1a94f008378c8683372 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
629+0.11 EUR
962+0.074 EUR
1027+0.07 EUR
1289+0.055 EUR
1471+0.049 EUR
1946+0.037 EUR
3425+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 629
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E544751EA760D2&compId=2N7002K.PDF?ci_sign=9f984722eb7170f70bb3a1a94f008378c8683372 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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629+0.11 EUR
962+0.074 EUR
1027+0.07 EUR
1289+0.055 EUR
1471+0.049 EUR
1946+0.037 EUR
3425+0.021 EUR
3624+0.02 EUR
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 58574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
538+0.27 EUR
1042+0.13 EUR
1619+0.08 EUR
1621+0.076 EUR
1989+0.06 EUR
2326+0.049 EUR
3000+0.045 EUR
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : onsemi 2n7002k-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
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Anzahl Preis
63+0.28 EUR
117+0.15 EUR
176+0.1 EUR
500+0.081 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : onsemi 43EF3D6C1E7D09125796E0CF87B798DA47CB95FB83695BE19FA5C1EDF8D752B5.pdf MOSFETs NFET SOT23 60V 380mA 2.5Ohms
auf Bestellung 51518 Stücke:
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10+0.29 EUR
20+0.15 EUR
100+0.099 EUR
500+0.081 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.051 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ONSEMI 2354033.pdf Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 121181 Stücke:
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ONSEMI 2354033.pdf Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 121181 Stücke:
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ONSEMI 2354033.pdf Description: ONSEMI - 2N7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2N7002KT1G 2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002KT1G Hersteller : ON-Semicoductor 2n7002k-d.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G T2N7002kt1ge3
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl Preis
300+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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2N7002KT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002k-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 320 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5 @ 20; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5; Rds = 1,6 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 1 Stücke:
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