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2N7002KW

2N7002KW ON Semiconductor

2n7002kw-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details 2N7002KW ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002KW - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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2N7002KW 2N7002KW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002kw-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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2N7002KW 2N7002KW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002kw-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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2N7002KW 2N7002KW Hersteller : onsemi 2n7002kw-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002KW 2N7002KW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002kw-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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2N7002KW 2N7002KW Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_2N7002KW%20SOT-323.PDF Description: 60V 340MA 5@10V,500MA 200MW 2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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2N7002KW 2N7002KW Hersteller : onsemi / Fairchild 2n7002kw-d.pdf 5399_2N7002KW%20SOT-323.PDF MOSFETs NCHAN Enhance MOSFET
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2N7002KW 2N7002KW Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BB760A9DCDF00D2&compId=2N7002KW.pdf?ci_sign=620b92c63ac329a374a300d9bb7414496c71b623 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N7002KW 2N7002KW Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BB760A9DCDF00D2&compId=2N7002KW.pdf?ci_sign=620b92c63ac329a374a300d9bb7414496c71b623 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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2N7002KW 2N7002KW Hersteller : onsemi 2n7002kw-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002KW
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2N7002KW 2N7002KW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002kw-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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2N7002KW 2N7002KW Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011183219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002KW - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N7002KW 2N7002KW Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011183219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002KW - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N7002KW Hersteller : ON-Semicoductor 2n7002kw-d.pdf 5399_2N7002KW%20SOT-323.PDF N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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2N7002KW Hersteller : ON-Semicoductor 2n7002kw-d.pdf 5399_2N7002KW%20SOT-323.PDF N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Mindestbestellmenge: 500
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2N7002KW 2N7002KW Hersteller : ON Semiconductor 2n7002kw-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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2N7002KW 2N7002KW Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_2N7002KW%20SOT-323.PDF Description: 60V 340MA 5@10V,500MA 200MW 2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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