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2N7002LT1G

2N7002LT1G ON

2n7002lt1g.pdf
Produktcode: 127379
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,115 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/
Montage: SMD
auf Bestellung: 3286 St.
  • 3286 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Analogon 2N7002LT1G ON

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002LT1 2N7002LT1
Produktcode: 9916
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ON 2N7002LT1.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,115 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/-
Montage: SMD
verfügbar: 145 St.
  • 145 St. - stock Köln
1+0.058 EUR
10+0.046 EUR
100+0.036 EUR
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2N7002LT1
Produktcode: 9916
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2N7002LT1.pdf
2N7002LT1
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,115 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/-
Montage: SMD
verfügbar: 145 St.
  • 145 St. - stock Köln
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2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 62983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 62983 Stücke:
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8000+0.021 EUR
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2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.076 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.076 EUR
6000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002LT1G 2N7002LT1G ON-Semiconductor info-t2n7002%20ons.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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2N7002LT1G 2N7002LT1G onsemi 2N7002L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.083 EUR
6000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 306000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
9000+0.099 EUR
27000+0.095 EUR
51000+0.093 EUR
102000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
735+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 735 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2N7002L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.25 EUR
491+0.18 EUR
731+0.12 EUR
889+0.096 EUR
1421+0.06 EUR
1695+0.05 EUR
3000+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
9000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2N7002LT1G onsemi 2N7002L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
76+0.27 EUR
106+0.2 EUR
122+0.17 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 532599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.62 EUR
893+0.26 EUR
1151+0.19 EUR
1345+0.15 EUR
1556+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 532599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.62 EUR
893+0.26 EUR
1151+0.19 EUR
1345+0.15 EUR
1556+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2N7002LT1G onsemi 2N7002L-D.PDF MOSFETs 60V 115mA N-Channel
auf Bestellung 433688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.36 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 348 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 62983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 62983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.076 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.076 EUR
6000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G info-t2n7002%20ons.pdf
2N7002LT1G
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2N7002L-D.PDF
2N7002LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.083 EUR
6000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 306000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
9000+0.099 EUR
27000+0.095 EUR
51000+0.093 EUR
102000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002LT1G 2354034.pdf
2N7002LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
735+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 735 Stücke
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2N7002LT1G 2N7002L.PDF
2N7002LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
334+0.25 EUR
491+0.18 EUR
731+0.12 EUR
889+0.096 EUR
1421+0.06 EUR
1695+0.05 EUR
3000+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
9000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2N7002L-D.PDF
2N7002LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+0.44 EUR
76+0.27 EUR
106+0.2 EUR
122+0.17 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2354034.pdf
2N7002LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 532599 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
404+0.62 EUR
893+0.26 EUR
1151+0.19 EUR
1345+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2354034.pdf
2N7002LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 532599 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
500+0.62 EUR
893+0.26 EUR
1151+0.19 EUR
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2N7002LT1G 2N7002L-D.PDF
2N7002LT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 115mA N-Channel
auf Bestellung 433688 Stücke:
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1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 423 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
2N7002LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Produktcode: 106453
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RC0603HIT.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 Вт
U Betrieb, V: 50 В
Bauform: 0603
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Mindestbestellmenge: 100 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0805
auf Bestellung: 222951 St.
  • 222951 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.012 EUR
1000+0.0086 EUR
10000+0.0063 EUR
Mindestbestellmenge: 100 St.
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100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 42147
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 59022 St.
  • 59022 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.027 EUR
1000+0.019 EUR
10000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Produktcode: 52241
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 05.10.2026
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100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Produktcode: 60735
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yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 нФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
erwartet: 250000 St.
  • 50000 St. - erwartet 20.09.2026
  • 200000 St. - erwartet 01.11.2026
auf Bestellung: 29210 St.
  • 29210 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.039 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.027 EUR
10000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH