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2N7002LT1G

2N7002LT1G ON

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Produktcode: 127379
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,115 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/
Montage: SMD
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Analogon 2N7002LT1G ON

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002LT1 2N7002LT1
Produktcode: 9916
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ON 2N7002LT1.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,115 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/-
Montage: SMD
verfügbar: 145 St.
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    2N7002LT1
    Produktcode: 9916
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    2N7002LT1
    Hersteller: ON
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SOT-23
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
    Drain-Strom Idd, A: 0,115 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 50/-
    Montage: SMD
    verfügbar: 145 St.
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      2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 522000 Stücke:
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      2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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      2N7002LT1G 2N7002LT1G onsemi 2N7002L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
      Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
      Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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      2N7002LT1G 2N7002LT1G ON-Semiconductor info-t2n7002%20ons.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONS
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      2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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      27000+0.081 EUR
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      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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      2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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      1467+0.12 EUR
      1884+0.092 EUR
      2110+0.081 EUR
      3000+0.077 EUR
      6000+0.075 EUR
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      2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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      1456+0.11 EUR
      1467+0.1 EUR
      1884+0.076 EUR
      2110+0.065 EUR
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      2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2N7002L.PDF Category: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 60V
      Drain current: 0.115A
      Power dissipation: 0.225W
      Case: SOT23
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 7.5Ω
      Mounting: SMD
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
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      1695+0.05 EUR
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      2N7002LT1G 2N7002LT1G ON Semiconductor 2n7002l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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      2N7002LT1G 2N7002LT1G onsemi 2N7002L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
      Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
      Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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      1000+0.11 EUR
      Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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      2N7002LT1G 2N7002LT1G onsemi 2N7002L-D.PDF MOSFETs 60V 115mA N-Channel
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      10+0.35 EUR
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      1000+0.13 EUR
      3000+0.12 EUR
      Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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      2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 60V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 115mA
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
      Verlustleistung: 200mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-23
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: No
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
      auf Bestellung 543614 Stücke:
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      		 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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      2N7002LT1G 2N7002LT1G ONSEMI 2354034.pdf Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 60V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 115mA
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
      Verlustleistung: 200mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-23
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: No
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
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      		 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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      2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
      2N7002LT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 522000 Stücke:
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      2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
      2N7002LT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 522000 Stücke:
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      2N7002LT1G 2N7002L-D.PDF
      2N7002LT1G
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
      Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
      Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
      auf Bestellung 608450 Stücke:
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      2N7002LT1G
      Hersteller: ON-Semiconductor
      Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONS
      Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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      2N7002LT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 315000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
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      27000+0.081 EUR
      51000+0.079 EUR
      102000+0.077 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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      2N7002LT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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      1467+0.12 EUR
      1884+0.092 EUR
      2110+0.081 EUR
      3000+0.077 EUR
      6000+0.075 EUR
      15000+0.073 EUR
      Mindestbestellmenge: 1467 Stücke
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      2N7002LT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 24505 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      770+0.23 EUR
      1029+0.17 EUR
      1037+0.15 EUR
      1456+0.11 EUR
      1467+0.1 EUR
      1884+0.076 EUR
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      3000+0.064 EUR
      6000+0.063 EUR
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      2N7002LT1G 2N7002L.PDF
      2N7002LT1G
      Hersteller: ONSEMI
      Category: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 60V
      Drain current: 0.115A
      Power dissipation: 0.225W
      Case: SOT23
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 7.5Ω
      Mounting: SMD
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 21650 Stücke:
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      AnzahlPrivatkunde
      334+0.25 EUR
      491+0.18 EUR
      731+0.12 EUR
      889+0.096 EUR
      1421+0.06 EUR
      1695+0.05 EUR
      3000+0.039 EUR
      6000+0.035 EUR
      9000+0.032 EUR
      Mindestbestellmenge: 334 Stücke
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      2N7002LT1G 2n7002l-d.pdf
      2N7002LT1G
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 1452 Stücke:
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      2N7002LT1G
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
      Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
      Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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      2N7002LT1G
      Hersteller: onsemi
      MOSFETs 60V 115mA N-Channel
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      2N7002LT1G 2354034.pdf
      2N7002LT1G
      Hersteller: ONSEMI
      Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 60V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 115mA
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
      Verlustleistung: 200mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-23
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: No
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
      auf Bestellung 543614 Stücke:
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      2N7002LT1G
      Hersteller: ONSEMI
      Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 60V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 115mA
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
      Verlustleistung: 200mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-23
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: No
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
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      10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
      Produktcode: 82544
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      		RC_series.pdf
      10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
      Hersteller: Yageo
      Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
      Nennwert: 10 kOhm
      Toleranz: ±1% F
      P Nenn., W: 0,125 W
      U Betrieb, V: 150 V
      Bauform: 0805
      auf Bestellung 270441 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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      10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
      Produktcode: 106453
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      		RC0603HIT.pdf
      10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
      Hersteller: Yageo
      Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
      Nennwert: 10 kOhm
      Toleranz: ±1% F
      P Nenn., W: 0,1 W
      U Betrieb, V: 50 V
      Bauform: 0603
      auf Bestellung 43380 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
      Produktcode: 42147
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      		cl_series_mlcc_datasheet.pdf
      100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
      Hersteller: Samsung
      Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
      Kapazität: 100 nF
      Nennspannung: 50 V
      Dielektrikum: X7R
      Präzision: ±10% K
      Größentyp: 0603
      HS-Code: 8532 24 00 00
      auf Bestellung 50289 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      erwartet 4000 St.:
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      10+0.24 EUR
      100+0.024 EUR
      1000+0.0082 EUR
      10000+0.0065 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 St.
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
      Produktcode: 52241
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      		cl_series_mlcc_datasheet.pdf
      10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
      Hersteller: Samsung
      Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
      Kapazität: 10 µF
      Nennspannung: 50 V
      Dielektrikum: X5R
      Präzision: ±10% K
      Baugröße: 1206
      auf Bestellung 836 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
      Produktcode: 60735
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      		yageo-datasheet-cap.pdf
      100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
      Hersteller: Yageo
      Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
      Kapazität: 100 nF
      Nennspannung: 50 V
      Dielektrikum: X7R
      Präzision: ±10% K
      Größentyp: 0805
      auf Bestellung 116071 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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