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2N7002NXBKR

2N7002NXBKR Nexperia

2n7002nxbk.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002NXBKR Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 310mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Hersteller : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Hersteller : Nexperia USA Inc. 2N7002NXBK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Hersteller : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.07 EUR
6000+0.068 EUR
15000+0.065 EUR
30000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 1977
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Hersteller : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Hersteller : NEXPERIA 2N7002NXBK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.9A
Version: ESD
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2198 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
500+0.14 EUR
603+0.12 EUR
1270+0.056 EUR
2050+0.035 EUR
2198+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Hersteller : NEXPERIA 2N7002NXBK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.9A
Version: ESD
Technology: Trench
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500+0.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 358
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Hersteller : Nexperia USA Inc. 2N7002NXBK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
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77+0.23 EUR
121+0.15 EUR
197+0.089 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Hersteller : Nexperia 2N7002NXBK.pdf MOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET
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12+0.24 EUR
20+0.15 EUR
100+0.092 EUR
500+0.067 EUR
1000+0.051 EUR
3000+0.049 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Hersteller : NEXPERIA 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Hersteller : NEXPERIA 2842564.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5139 Stücke:
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Hersteller : NEXPERIA 2842564.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5744 Stücke:
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Hersteller : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 532 Stücke:
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Hersteller : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2N7002NXBKR Hersteller : NXP 2N7002NXBK.pdf 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2N7002NXBKR T2N7002NXBKR
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Anzahl Preis
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Hersteller : Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
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