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2N7002NXBKR

2N7002NXBKR Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002NXBKR Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 310mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia USA Inc. 2N7002NXBK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
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3000+0.054 EUR
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR NXP T2N7002NXBKR_NXP_0001.pdf 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2N7002NXBKR T2N7002NXBKR
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 1698 Stücke
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
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1627+0.11 EUR
2598+0.064 EUR
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
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1386+0.13 EUR
1913+0.089 EUR
2170+0.077 EUR
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia USA Inc. 2N7002NXBK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
auf Bestellung 60126 Stücke:
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77+0.27 EUR
125+0.17 EUR
176+0.12 EUR
203+0.1 EUR
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2N7002NXBK.pdf MOSFETs 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR NEXPERIA 2842564.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
642+0.39 EUR
1279+0.18 EUR
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2476+0.087 EUR
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2N7002NXBKR 2N7002NXBKR NEXPERIA 2842564.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 5900 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR NEXPERIA 2N7002NXBK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.9A
Gate charge: 1nC
Version: ESD
Technology: Trench
auf Bestellung 2147 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR Nexperia 2n7002nxbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXBKR 2N7002NXBK.pdf
2N7002NXBKR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.054 EUR
9000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002NXBKR T2N7002NXBKR_NXP_0001.pdf
2N7002NXBKR
Hersteller: NXP
2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2N7002NXBKR T2N7002NXBKR
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXBKR 2n7002nxbk.pdf
2N7002NXBKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1737+0.1 EUR
2399+0.071 EUR
2519+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 1737 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXBKR 2n7002nxbk.pdf
2N7002NXBKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1698+0.1 EUR
2348+0.073 EUR
2458+0.068 EUR
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Mindestbestellmenge: 1698 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXBKR 2n7002nxbk.pdf
2N7002NXBKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7944 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1627+0.11 EUR
2598+0.064 EUR
2618+0.062 EUR
3664+0.043 EUR
4238+0.036 EUR
4274+0.033 EUR
5848+0.024 EUR
6135+0.023 EUR
6250+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 1627 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXBKR 2n7002nxbk.pdf
2N7002NXBKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1386+0.13 EUR
1913+0.089 EUR
2170+0.077 EUR
3000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 1386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7002NXBKR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
auf Bestellung 60126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+0.27 EUR
125+0.17 EUR
176+0.12 EUR
203+0.1 EUR
500+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXBKR 2N7002NXBK.pdf
2N7002NXBKR
Hersteller: Nexperia
MOSFETs 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 9524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+0.31 EUR
22+0.15 EUR
100+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.075 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXBKR 2n7002nxbk.pdf
2N7002NXBKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
534+0.32 EUR
971+0.18 EUR
1393+0.12 EUR
1924+0.081 EUR
2189+0.068 EUR
3000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 534 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXBKR 2842564.pdf
2N7002NXBKR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
642+0.39 EUR
1279+0.18 EUR
1780+0.12 EUR
2476+0.087 EUR
2591+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXBKR 2842564.pdf
2N7002NXBKR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002NXBKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
642+0.39 EUR
1279+0.18 EUR
1780+0.12 EUR
2476+0.087 EUR
2591+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXBKR 2N7002NXBK.pdf
2N7002NXBKR
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.9A
Gate charge: 1nC
Version: ESD
Technology: Trench
auf Bestellung 2147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002NXBKR 2n7002nxbk.pdf
2N7002NXBKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
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