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2N7002P,215

2N7002P,215 Nexperia

2n7002p.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3268+0.054 EUR
6000+0.037 EUR
9000+0.036 EUR
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Technische Details 2N7002P,215 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3268+0.054 EUR
6000+0.037 EUR
9000+0.036 EUR
15000+0.033 EUR
21000+0.032 EUR
30000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3268 Stücke
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2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 393000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.061 EUR
6000+0.042 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.038 EUR
21000+0.037 EUR
30000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 393000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.061 EUR
6000+0.042 EUR
9000+0.039 EUR
15000+0.036 EUR
21000+0.035 EUR
30000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002P,215 2N7002P,215 NEXPERIA NEXP-S-A0003059680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4033+0.062 EUR
9000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 4033 Stücke
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2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia USA Inc. 2N7002P.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 143450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.08 EUR
9000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002P,215 2N7002P,215 NEXPERIA 2N7002P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 11100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
705+0.12 EUR
989+0.086 EUR
1129+0.075 EUR
1214+0.07 EUR
1553+0.055 EUR
1887+0.045 EUR
2119+0.04 EUR
3000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia 2N7002P.pdf MOSFETs 2N7002P/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia USA Inc. 2N7002P.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 143985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
87+0.24 EUR
121+0.18 EUR
140+0.15 EUR
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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2N7002P,215 2N7002P,215 NEXPERIA NEXP-S-A0003059680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 220091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
633+0.39 EUR
991+0.24 EUR
1981+0.11 EUR
2017+0.11 EUR
2584+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 633 Stücke
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2N7002P,215 2N7002P,215 NEXPERIA NEXP-S-A0003059680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 220091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
633+0.39 EUR
991+0.24 EUR
1981+0.11 EUR
2017+0.11 EUR
2584+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 633 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002P,215 2N7002P,215 Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002P,215 2n7002p.pdf
2N7002P,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3268+0.054 EUR
6000+0.037 EUR
9000+0.036 EUR
15000+0.033 EUR
21000+0.032 EUR
30000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002P,215 2n7002p.pdf
2N7002P,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 393000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.061 EUR
6000+0.042 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.038 EUR
21000+0.037 EUR
30000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002P,215 2n7002p.pdf
2N7002P,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 393000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.061 EUR
6000+0.042 EUR
9000+0.039 EUR
15000+0.036 EUR
21000+0.035 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002P,215 NEXP-S-A0003059680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002P,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4033+0.062 EUR
9000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 4033 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002P,215 2N7002P.pdf
2N7002P,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 143450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.08 EUR
9000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2N7002P,215 2n7002p.pdf
2N7002P,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7002P,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 11100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
705+0.12 EUR
989+0.086 EUR
1129+0.075 EUR
1214+0.07 EUR
1553+0.055 EUR
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2119+0.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002P,215 2N7002P.pdf
2N7002P,215
Hersteller: Nexperia
MOSFETs 2N7002P/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002P,215 2N7002P.pdf
2N7002P,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 143985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+0.39 EUR
87+0.24 EUR
121+0.18 EUR
140+0.15 EUR
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002P,215 NEXP-S-A0003059680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002P,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 220091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
633+0.39 EUR
991+0.24 EUR
1981+0.11 EUR
2017+0.11 EUR
2584+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 633 Stücke
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2N7002P,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 220091 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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2017+0.11 EUR
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2N7002P,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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