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2N7002P,215

2N7002P,215 Nexperia

2n7002p.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002P,215 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. 2N7002P.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 429000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+0.04 EUR
6000+0.035 EUR
15000+0.032 EUR
21000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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3247+0.044 EUR
138000+0.039 EUR
207000+0.035 EUR
276000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3247
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 31914 Stücke:
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Anzahl Preis
2748+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 2748
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : Nexperia 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 31914 Stücke:
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2748+0.052 EUR
4808+0.029 EUR
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949E3C0EF1890747&compId=2N7002P.pdf?ci_sign=f0989664eb80a38916b702f06d428cff218077da Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
569+0.13 EUR
799+0.09 EUR
933+0.077 EUR
2000+0.036 EUR
2110+0.034 EUR
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949E3C0EF1890747&compId=2N7002P.pdf?ci_sign=f0989664eb80a38916b702f06d428cff218077da Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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799+0.09 EUR
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2000+0.036 EUR
2110+0.034 EUR
6000+0.033 EUR
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : Nexperia 2N7002P.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 60V .36A
auf Bestellung 720111 Stücke:
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12+0.24 EUR
18+0.16 EUR
100+0.079 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.063 EUR
3000+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. 2N7002P.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 430182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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72+0.25 EUR
113+0.16 EUR
224+0.079 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : NEXPERIA 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24400 Stücke:
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 220091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 220091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002P,215 2N7002P,215 Hersteller : NEXPERIA 2n7002p.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 552000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002P,215 Hersteller : NXP 2N7002P.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7002P,215; 2N7002P,235; 2N7002P.215; 2N7002P; 2N7002P,215 T2N7002p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
400+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH