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2N7002Q-7-F

2N7002Q-7-F Diodes Zetex


2n7002.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002Q-7-F Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.233 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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2N7002Q-7-F 2N7002Q-7-F Hersteller : Diodes Incorporated 2N7002.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
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3116+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
24000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3116
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auf Bestellung 24000 Stücke:
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Anzahl Preis
3185+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
24000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3185
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auf Bestellung 54000 Stücke:
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Anzahl Preis
3216+0.05 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3216
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auf Bestellung 54000 Stücke:
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Anzahl Preis
3237+0.05 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3237
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auf Bestellung 129000 Stücke:
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3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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auf Bestellung 114000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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auf Bestellung 45000 Stücke:
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3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1043+0.14 EUR
1570+0.09 EUR
2305+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1043
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Anzahl Preis
59+0.30 EUR
95+0.19 EUR
196+0.09 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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2N7002Q-7-F 2N7002Q-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012994310_1-2543882.pdf MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
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9+0.32 EUR
15+0.20 EUR
100+0.10 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
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2N7002Q-7-F 2N7002Q-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0012994310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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2N7002Q-7-F 2N7002Q-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0012994310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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2N7002Q-7-F 2N7002Q-7-F Hersteller : Diodes Inc 2n7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002Q-7-F 2N7002Q-7-F Hersteller : Diodes Zetex 2n7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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