2N7002VC-7 Diodes Incorporated


ds30639.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2N7002VC-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote 2N7002VC-7 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7002VC-7 2N7002VC-7 Diodes Incorporated ds30639.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 13145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
35+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002VC-7 2N7002VC-7 Diodes Incorporated ds30639.pdf MOSFETs Dual N-Channel
auf Bestellung 85817 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.73 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002VC-7 2N7002VC-7 Diodes Zetex ds30639.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002VC-7 ds30639.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 13145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+0.96 EUR
35+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002VC-7 ds30639.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Channel
auf Bestellung 85817 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.17 EUR
10+0.73 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002VC-7 ds30639.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH