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2N7002W-7-F

2N7002W-7-F Diodes Zetex

ds30099.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details 2N7002W-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - 2N7002W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30099.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30099.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B3459FCD4DF8BF&compId=2N7002W.pdf?ci_sign=4c5e426aa8be96707f51bc3b9d4d8ea63718b2fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013289884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013289884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2N7002W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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9000+0.041 EUR
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15000+0.038 EUR
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6000+0.048 EUR
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30099.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R
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3000+0.055 EUR
6000+0.047 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.038 EUR
21000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : Diodes Incorporated 2N7002W.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.065 EUR
6000+0.059 EUR
9000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B3459FCD4DF8BF&compId=2N7002W.pdf?ci_sign=4c5e426aa8be96707f51bc3b9d4d8ea63718b2fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
367+0.19 EUR
561+0.13 EUR
674+0.11 EUR
822+0.087 EUR
835+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009689720_1-2543213.pdf MOSFETs 60V 200mW
auf Bestellung 160412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.41 EUR
12+0.24 EUR
100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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2N7002W-7-F 2N7002W-7-F Hersteller : Diodes Incorporated 2N7002W.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 110451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+0.46 EUR
65+0.27 EUR
103+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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