2N7002W YANGJIE TECHNOLOGY
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1875+ | 0.038 EUR |
| 4400+ | 0.016 EUR |
| 4925+ | 0.015 EUR |
| 5300+ | 0.013 EUR |
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Technische Details 2N7002W YANGJIE TECHNOLOGY
Description: ONSEMI - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 78 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 78V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote 2N7002W nach Preis ab 0.012 EUR bis 0.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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2N7002W | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 5300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET SOT-323 N 60V 0.115A 13.5Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 149275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 111165 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 111165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT323 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 12969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT323 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 12969 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 2855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 8866 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET SOT323 N 60V 13.5OHMPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
auf Bestellung 231000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET SOT-323 N 60V 0.115A 13.5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9095 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 8866 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC70; SOT323 Power dissipation: 0.2W Drain current: 0.115A On-state resistance: 1.6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1470 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC70; SOT323 Power dissipation: 0.2W Drain current: 0.115A On-state resistance: 1.6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 1470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect |
auf Bestellung 20065 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET SOT323 N 60V 13.5OHMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V |
auf Bestellung 232456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 78 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 78V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 78 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 78V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 4240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - 2N7002W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002W | Hersteller : YY |
Mosfet, SOT-323, 60V, 0.115A, 150°C; 2N7002W-YAN; 2N7002W SOT323 YANGJIE TECHNOLOGY T2N7002W YYAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002W | Hersteller : LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 50V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7002W-LGE; 2N7002W T2N7002W LGEAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002W | Hersteller : LGE |
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Rds = 7,5 Ом; Р, Вт = 0,225; Тексп, °C = -55...+150; SOT-323-3 |
auf Bestellung 1877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002W | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7002W | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7002W | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |








