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2N7002WT1G

2N7002WT1G ON Semiconductor

2n7002w-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details 2N7002WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : onsemi 2n7002w-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
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1634+0.15 EUR
2000+0.09 EUR
9000+0.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 1634
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E57AB63D2760D2&compId=2N7002W.PDF?ci_sign=a1b315c1a1ef3038a3060776b0118ddca3b4b365 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12485 Stücke:
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Anzahl Preis
385+0.19 EUR
685+0.10 EUR
1153+0.06 EUR
2174+0.03 EUR
2305+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 385
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E57AB63D2760D2&compId=2N7002W.PDF?ci_sign=a1b315c1a1ef3038a3060776b0118ddca3b4b365 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 12485 Stücke:
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Anzahl Preis
385+0.19 EUR
685+0.10 EUR
1153+0.06 EUR
2174+0.03 EUR
2305+0.03 EUR
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532+0.27 EUR
533+0.26 EUR
534+0.25 EUR
535+0.24 EUR
536+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 532
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546+0.27 EUR
926+0.15 EUR
1500+0.09 EUR
2097+0.06 EUR
2632+0.05 EUR
3216+0.04 EUR
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524+0.28 EUR
889+0.16 EUR
1439+0.10 EUR
2009+0.07 EUR
2526+0.05 EUR
3096+0.04 EUR
6000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 524
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532+0.28 EUR
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535+0.28 EUR
536+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
15000+0.23 EUR
30000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 535
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : onsemi 2n7002w-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
auf Bestellung 48276 Stücke:
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59+0.30 EUR
100+0.18 EUR
160+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : onsemi 2n7002w-d.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
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9+0.32 EUR
15+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.19 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.19 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ONSEMI 1913419.pdf Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9000 Stücke:
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2N7002WT1G Hersteller : ON-Semicoductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
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2N7002WT1G Hersteller : ON-Semicoductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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2N7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5; Rds = 1,6@ 500 mA; Ugs(th) = 2.5V @ 250µA; Р, Вт = 0,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323-3
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