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2N7002WT1G

2N7002WT1G ON Semiconductor

2n7002w-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details 2N7002WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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4000+0.036 EUR
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102000+0.027 EUR
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : onsemi 2n7002w-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
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3000+0.058 EUR
6000+0.051 EUR
9000+0.048 EUR
15000+0.045 EUR
21000+0.043 EUR
30000+0.04 EUR
75000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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10000+0.067 EUR
100000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 6961
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 117800 Stücke:
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1389+0.1 EUR
1905+0.073 EUR
2170+0.062 EUR
4902+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1389
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ONSEMI 2N7002W.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
516+0.14 EUR
767+0.093 EUR
928+0.077 EUR
1429+0.05 EUR
1806+0.04 EUR
3000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 385
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ONSEMI 2N7002W.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8875 Stücke:
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Anzahl Preis
385+0.19 EUR
516+0.14 EUR
767+0.093 EUR
928+0.077 EUR
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6000+0.027 EUR
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 47097 Stücke:
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Anzahl Preis
528+0.27 EUR
858+0.16 EUR
1393+0.096 EUR
1913+0.067 EUR
2174+0.057 EUR
4902+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 528
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 117800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
532+0.27 EUR
876+0.16 EUR
1389+0.097 EUR
1905+0.068 EUR
2170+0.057 EUR
4902+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 532
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 31606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1749+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1749
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : onsemi 2n7002w-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
auf Bestellung 110154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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63+0.28 EUR
100+0.18 EUR
162+0.11 EUR
500+0.079 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 35591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
518+0.28 EUR
519+0.27 EUR
520+0.26 EUR
521+0.24 EUR
522+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 518
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 35591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
521+0.28 EUR
522+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
15000+0.23 EUR
30000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 521
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : onsemi 2n7002w-d.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
auf Bestellung 6370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+0.32 EUR
14+0.22 EUR
100+0.14 EUR
500+0.095 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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2N7002WT1G 2N7002WT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 28090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002WT1G Hersteller : ON-Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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2N7002WT1G Hersteller : ON-Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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2N7002WT1G Hersteller : ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5; Rds = 1,6@ 500 mA; Ugs(th) = 2.5V @ 250µA; Р, Вт = 0,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323-3
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7002WT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.34A, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 28090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH