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2N7002WT1G

2N7002WT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details 2N7002WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 330mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.

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2N7002WT1G 2N7002WT1G ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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2N7002WT1G 2N7002WT1G onsemi 2N7002W-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
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2N7002WT1G 2N7002WT1G ON-Semiconductor info-t2n7002wt1g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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2N7002WT1G 2N7002WT1G ON-Semiconductor info-t2n7002wt1g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
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2N7002WT1G 2N7002WT1G ONSEMI 2N7002W.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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455+0.16 EUR
610+0.12 EUR
848+0.084 EUR
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1467+0.049 EUR
1588+0.045 EUR
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2N7002WT1G 2N7002WT1G ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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848+0.17 EUR
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3022+0.039 EUR
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2N7002WT1G 2N7002WT1G ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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1749+0.27 EUR
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2N7002WT1G 2N7002WT1G ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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817+0.17 EUR
1323+0.1 EUR
1819+0.071 EUR
2067+0.06 EUR
3185+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 511 Stücke
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2N7002WT1G 2N7002WT1G ON Semiconductor 2n7002w-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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503+0.29 EUR
796+0.18 EUR
1291+0.1 EUR
1783+0.072 EUR
2058+0.06 EUR
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
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2N7002WT1G 2N7002WT1G onsemi 2N7002W-D.PDF MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
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10+0.3 EUR
15+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.086 EUR
1000+0.076 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2N7002WT1G 2N7002WT1G onsemi 2N7002W-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
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59+0.3 EUR
94+0.19 EUR
152+0.12 EUR
500+0.085 EUR
1000+0.074 EUR
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2N7002WT1G 2N7002WT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 28624 Stücke:
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2N7002WT1G 2N7002WT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
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2N7002WT1G ON Semiconductor 2N7002W_ONS.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5, Rds = 1,6@ 500 mA, Ugs(th) = 2.5V @ 250µA, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323-3 Од. вим: шт
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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auf Bestellung 107132 Stücke:
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100000+0.029 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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9000+0.035 EUR
27000+0.033 EUR
51000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3817 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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3068+0.047 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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AnzahlPreis
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R
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2N7002WT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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2N7002WT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
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2N7002WT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
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2N7002WT1G ONSM-S-A0013775464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002WT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
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2N7002WT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 28624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002WT1G 2N7002W_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5, Rds = 1,6@ 500 mA, Ugs(th) = 2.5V @ 250µA, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
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