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2PB709ARL,235

2PB709ARL,235 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2PB709ARL,235 Nexperia

Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Power - Max: 250 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: TO-236AB, Frequency - Transition: 70MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2PB709ARL,235 2PB709ARL,235 Nexperia 2pb709arl.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2PB709ARL,235 2PB709ARL,235 Nexperia 2pb709arl.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2PB709ARL,235 2PB709ARL,235 Nexperia 2PB709ARL-3196564.pdf Bipolar Transistors - BJT 2PB709ARL/SOT23/TO-236AB
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2PB709ARL,235 2PB709ARL,235 Nexperia USA Inc. 2PB709ARL.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 70MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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2PB709ARL,235 NEXPERIA PHGLS02524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - 2PB709ARL,235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: To Be Advised
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