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2PB709ASW,115

2PB709ASW,115 Nexperia USA Inc.

PHGLS18015-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323
Supplier Device Package: SOT-323
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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Technische Details 2PB709ASW,115 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323, Supplier Device Package: SOT-323, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Bulk, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2PB709ASW,115 NXP Semiconductors PHGLS18015-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2PB709AXW_SERIES.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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2PB709ASW,115 NXP PHGLS18015-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NXP - 2PB709ASW,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
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Hersteller: NXP Semiconductors
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Hersteller: NXP
Description: NXP - 2PB709ASW,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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