2PB709BSL,215 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 50V 0.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.055 EUR |
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Technische Details 2PB709BSL,215 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - 2PB709BSL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 200 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 2PB709BSL,215 nach Preis ab 0.065 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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2PB709BSL,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 50V 0.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
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2PB709BSL,215 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 50 V, 500 mA PNP general-purpose transistor |
auf Bestellung 2607 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2PB709BSL,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2PB709BSL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 200 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2PB709BSL,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2PB709BSL,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 200 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2PB709BSL,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 50V 0.2A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2PB709BSL,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 50V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |