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2PB710ASL-QR Nexperia


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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT23 50V .5A PNP BJ
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Technische Details 2PB710ASL-QR Nexperia

Description: NEXPERIA - 2PB710ASL-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 170hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2PB710ASL-QR 2PB710ASL-QR NEXPERIA 2PB710ASL-Q.pdf Description: NEXPERIA - 2PB710ASL-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2003 Stücke:
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Hersteller: NEXPERIA
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