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2PC4617QM,315 Nexperia


109995728898962pc4617m_series.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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Technische Details 2PC4617QM,315 Nexperia

Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-883, Power - Max: 430 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SOT-883, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-101, SOT-883, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q100, Grade: Automotive.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2PC4617QM,315 2PC4617QM,315 Nexperia 109995728898962pc4617m_series.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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2PC4617QM,315 2PC4617QM,315 Nexperia 109995728898962pc4617m_series.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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2PC4617QM,315 2PC4617QM,315 Nexperia 109995728898962pc4617m_series.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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2PC4617QM,315 2PC4617QM,315 Nexperia 2PC4617M_SERIES.pdf Bipolar Transistors - BJT 2PC4617QM/SOT883/XQFN3
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2PC4617QM,315 2PC4617QM,315 Nexperia USA Inc. 2PC4617M_SERIES.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-883
Power - Max: 430 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-883
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
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2PC4617QM,315 NEXPERIA PIRSS01975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - 2PC4617QM,315 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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Power - Max: 430 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
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Packaging: Cut Tape (CT)
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Grade: Automotive
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