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2PS18012E44G40113NOSA1

2PS18012E44G40113NOSA1 Infineon Technologies


8614infineon-2ps18012e44g40113-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462525dbac4.pdf Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Stack for typical voltages of up to 400 VRMS
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Technische Details 2PS18012E44G40113NOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 2560A 5600W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -25°C ~ 60°C, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2560 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 5600 W.

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2PS18012E44G40113NOSA1 2PS18012E44G40113NOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-2PS18012E44G40113-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152d47f32ca0030 Description: IGBT MOD 1200V 2560A 5600W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2560 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 5600 W
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2PS18012E44G40113NOSA1 2PS18012E44G40113NOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-2PS18012E44G40113-DS-v02_00-EN-1730917.pdf IGBT Modules STACKS IPM
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