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2SA1015

2SA1015 Toshiba

2SA1015(L).pdf
Produktcode: 25436
Hersteller: Toshiba
Gehäuse: TO-92
fT: 80 MHz
U, V: 50
U, V: 50
I, А: 0.15
h21,max: 400
auf Bestellung 238 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SA1015 2SA1015 Hersteller : Lumimax Optoelectronic Technology view Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 0.1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
auf Bestellung 29690 Stücke:
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432+0.041 EUR
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5000+0.019 EUR
10000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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2SA1015 2SA1015 Hersteller : EVVO 5272_2SA1015.pdf Description: TRANS PNP ECB -150MA -50V SOT2
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1789 Stücke:
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91+0.19 EUR
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238+0.074 EUR
500+0.054 EUR
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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2SA1015 Hersteller : HT Jinyu Semiconductor view 5272_2SA1015.pdf Transistor (PNP)
auf Bestellung 780000 Stücke:
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60000+0.012 EUR
300000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10102
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2SA1015 2SA1015 Hersteller : EVVO 5272_2SA1015.pdf Description: TRANS PNP ECB -150MA -50V SOT2
Packaging: Tape & Reel (TR)
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fT: 80 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,15 A
h21: 700
ZCODE: THT
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Gehäuse: TO-92
fT: 80Mhz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0.15
ZCODE: THT
auf Bestellung 5998 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA1013-Y
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fT: 50 MHz
U, V: 160
U, V: 160
I, А: 1
h21,max: 200
auf Bestellung 293 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.22 EUR
100+0.19 EUR
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2SC2383 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Toshiba
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Gehäuse: TO-92
fT: 500 MHz
Uceo,V: 18
Ucbo,V: 38
Ic,A: 0,75
h21: 200
ZCODE: THT
verfügbar: 248 St.
60 St. - stock Köln
188 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.08 EUR
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1N4148
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1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 29428 St.:
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