Technische Details 2SA1162-GR(TE85L,F Toshiba
Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SC59, Type of transistor: PNP, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.15A, Power dissipation: 0.15W, Case: SC59, Current gain: 70...400, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Frequency: 80MHz, Anzahl je Verpackung: 30000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2SA1162-GR(TE85L,F | Hersteller : TOSHIBA |
 Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SC59 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 70...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Anzahl je Verpackung: 30000 Stücke |
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| 2SA1162-GR(TE85L,F | Hersteller : Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE, |
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2SA1162-GR(TE85L,F | Hersteller : TOSHIBA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SC59 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 70...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz |
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