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2SA1162-GR(TE85L,F Toshiba

Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE,

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Technische Details 2SA1162-GR(TE85L,F Toshiba

Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SC59, Type of transistor: PNP, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.15A, Power dissipation: 0.15W, Case: SC59, Current gain: 70...400, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Frequency: 80MHz.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	2SA1162-GR(TE85L,F	TOSHIBA	Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SC59 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 70...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2SA1162-GR(TE85L,F

Hersteller: TOSHIBA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 70...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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