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Technische Details 2SA1162S-GR,LF(D Toshiba
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.
Weitere Produktangebote 2SA1162S-GR,LF(D nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| 2SA1162S-GR,LF(D | Hersteller : Toshiba |
 2SA1162S-GR,LF(D |
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2SA1162S-GR,LF(D | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
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| 2SA1162S-GR,LF(D | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT |
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