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2SA1163-BL,LF(T Toshiba


2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
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Technische Details 2SA1163-BL,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-346, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T Toshiba 2sa1163_datasheet_en_20220302.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
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2SA1163-BL,LF(T 2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA 4163496.pdf Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SA1163-BL,LF(T TOSHIBA Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 100mA
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 0.1A
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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Verlustleistung: 200mW
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Hersteller: TOSHIBA
Category: PNP SMD transistors
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Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
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