2SA1213-Y(TE12L,ZC Toshiba
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Technische Details 2SA1213-Y(TE12L,ZC Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SA1213-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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2SA1213-Y(TE12L,ZC | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - 2SA1213-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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2SA1213-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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2SA1213-Y(TE12L,ZC | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1213-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 4513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1213-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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