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2SA1242-Y(Q)

2SA1242-Y(Q) Toshiba


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Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold
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Technische Details 2SA1242-Y(Q) Toshiba

Description: TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 170MHz, Supplier Device Package: PW-MOLD, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SA1242-Y(Q) 2SA1242-Y(Q) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1242.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
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2SA1242-Y (Q) 2SA1242-Y (Q) Hersteller : Toshiba Bipolar Transistors - BJT
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