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2SA1242-Y(Q)

2SA1242-Y(Q) Toshiba


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Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold
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Technische Details 2SA1242-Y(Q) Toshiba

Description: TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: PW-MOLD, Frequency - Transition: 170MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SA1242-Y(Q) 2SA1242-Y(Q) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1242.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PW-MOLD
Frequency - Transition: 170MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
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2SA1242-Y (Q) 2SA1242-Y (Q) Hersteller : Toshiba Bipolar Transistors - BJT
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